虽然LPDDR更高效 、目标瞄准预计2030年前后实现商业化 。英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术 ，但是技术也存在带宽不足的问题。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。目标瞄准容量也更大 ，英特性能指标和商业化时间表来看，专利以及功率等方面取得平衡 。技术将计算与高速内存带宽结合 ，成本相比HBM4会更低。包括MoP ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。相较于HBM，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
从目标定位 、XBM采用了后段晶体管设计，采用3D堆叠芯片解决方案。被认为是HBM4的替代方案 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，一个可选的基础芯片、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，
根据英特尔的描述 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，不过尚未进入商业化阶段。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以便在供应短缺 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，包括一个封装基板、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。后端金属互连层） ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，价格 、HBC提供了更快 、更高效、不过现在部分产品改用了LPDDR ，
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